据俄罗斯卫星网10月19日报道，来自俄罗斯、法国、瑞典和希腊的科学家合作开发了一种提纯石墨烯的工业技术。新方法使石墨烯更加稳定，即使暴露在臭氧中10分钟也“毫发无伤”。研究人员表示，这一成果是纳米电子技术领域的重要进展，将极大推动该领域的发展。
石墨烯是一种比人类头发丝细100万倍的材料。它由排列成蜂窝结构的单层碳原子组成。它具有超高的导电性、耐用性和延展性，可用于制造多种纳米电子器件。在生产过程中，聚合物涂层残留物会“污染”石墨烯并降低其内部电荷载流子的迁移率。热退火、等离子体脱胶、化学溶剂等方法可以去除聚合物残留物，但同时削弱了石墨烯的纯度。其中，最常用的净化方法之一是使用臭氧。尽管该方法反应活性高，但臭氧会在破坏聚合物残留物的同时造成石墨烯缺陷，导致其性能减弱。
鉴于此，俄罗斯国立核能研究大学莫斯科工程物理研究所（MEPhI）的科学家利用高温碳化硅（SiC）的升华成功获得了高度稳定的石墨烯，该材料在暴露于高温环境下具有优异的性能。臭氧10分钟以上。普通石墨烯在相同环境下三到四分钟性能就会受损。
为了进一步验证测试结果，来自希腊、法国和瑞典的科学家利用计算机建模来阐明为什么碳化硅-石墨烯能够在剧烈氧自由基的作用下保持“毫发无伤”并且更加稳定：新型石墨烯的异常稳定性显然与其有关碳化硅基底上的外延石墨烯具有较低的粗糙度。
最新发现有助于更好地纯化石墨烯，获得电性能稳定的高质量工业石墨烯。